2017中国（浙江宁波）第三代半导体产业发展高峰论坛举行__资讯

2017中国（浙江宁波）第三代半导体产业发展高峰论坛举行

2017-12-23来源：宁波市科技信息研究院阅读量：14967

　　为提升半导体产业发展区位优势，加速创新资源集聚，助推浙江宁波半导体产业实现创新转型，12月22日，2017中国(宁波)第三代半导体产业发展高峰论坛暨创新项目推介会在宁波市举行。论坛邀请半导体领域、产业和投融资机构专家，就第三代半导体产业发展现状、前沿趋势、关键技术、主要应用市场和需求等内容展开交流探讨。宁波市科技局副局长陈建章、市经信委副主任杜永华、市国际投资促进局副局长杨益等领导专家及来自市内有关行业企业代表约200余人参加论坛。

　　陈建章在致辞中提出，发展半导体产业是出于国家战略安全和提升集成电路产业竞争力的重大布局。随着科学技术进步和产业结构转型升级，第三代半导体因其具备的特性在新能源、移动通讯等领域得到大规模应用。宁波市半导体产业起步较早，经过十余年发展，在半导体器件、半导体材料制备等方面形成较为完备的产业链，涌现出金瑞泓科技、芯健半导体等一批龙头骨干企业。加快发展第三代半导体，有利于宁波形成产业竞争优势，加速产业上下游协同联动，在关键技术领域取得重点突破并实现弯道超车。

　　论坛邀请第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山、中科院宁波材料所研究员叶继春、国网联研院研究室副主任戴朝波、中科院电工所研究员宁圃奇、国知局保护协调司汪勇等专家，分别从第三代半导体技术发展现状与应用、宁波发展第三代半导体产业总体布局、第三代半导体技术路线、半导体材料在电动汽车中的应用及第三代半导体知识产权纠纷应对策略等主题的讲座，从技术变迁、现状趋势、市场应用及知识产权保护等方面为宁波布局第三代半导体产业提供指引和借鉴。

　　会议还结合宁波第三代半导体产业发展需求，邀请北京智博晟源科技有限公司、中芯集成电路(宁波)有限公司等6家单位分别作创新创业项目路演推介，为加快集聚半导体产业创新资源、形成产业集聚优势营造良好氛围。

　　近年来，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、抗辐射能力强、高温稳定性好、光电转化能力高、高频下功率特性优良和能量损耗低等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”。第三代半导体材料应用领域广、产业关联性大，正在引起清洁能源和新一代电子信息技术等领域的革命，无论是半导体照明与显示、家用电器、消费电子设备、新能源汽车及充电桩、高速轨道交通、新能源与智能电网、下一代移动通讯、大数据中心，还是在国防军工领域的导弹、卫星、雷达和电子对抗等军工用品上，都有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用，发展前景看好。

　　宁波作为长三角区域南翼的中心城市和重要的港口城市，以及我国“中国制造2025”试点城市，经历十余年的发展，已形成贯穿芯片设计制造、封装测试、后端应用等领域的较为完备的上下游产业链，汇聚了金瑞泓科技、比亚迪半导体、中芯宁波等知名半导体企业，拥有包括照明、汽车、消费类电子、白色家电、风电、光伏等多个终端应用市场，产业基础扎实、发展需求稳定，发展第三代半导体产业基础优势凸显。

　　(原标题：2017中国(宁波)第三代半导体产业发展高峰论坛举行)

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