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一项新研究显示，由磁性材料和非磁性绝缘体制成的双层薄膜具有显着的存储数据的潜力。
该薄膜可利用电子自旋来存储数据：一种赋予电子角动量和微小磁场的特性。
传统的硅芯片使用电荷及其移动以二进制数字(0和1)存储数据。与具有负值和正值的电荷一样，spin具有上下两种状态，可用于存储数据。
双层薄膜消除了电荷的移动，因此用它制造的存储和计算设备可以在超低功率下运行。
来自美国明尼苏达大学的王建平说：“这项工作具有巨大的实际应用，因为这种薄膜可以在室温下在硅衬底上生长，采用半导体工业中广泛使用的技术。”
研究人员，包括沙特阿拉伯国王阿卜杜拉科技大学的Aurelien Manchon，通过在硅衬底上生长的硒化铋薄膜上沉积一层磁性材料来制备薄膜。
明尼苏达大学的Mahendra Dangi Chhetri解释说，这种薄膜将外部施加的电流转换成积聚在磁性和硒化铋层界面的自旋。旋转然后将其自旋角动量转移到磁层，磁层可以存储数据。
Wang表示，接下来，该团队计划使用磁性材料和非磁性绝缘体的不同组合制造新型薄膜。
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