“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目启动__资讯

“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目启动

2019-04-01来源：中国仪表网阅读量：24234

　　近日，国家重点研发计划“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目正式启动。

　　科学仪器设备是科学研究和技术创新的基石，是经济社会发展和国防安全的重要保障。为切实提升我国科学仪器设备的自主创新能力和装备水平，促进产业升级发展，支撑创新驱动发展战略的实施，我国启动了国家重点研发计划。

　　射线探测技术作为现代科技关键核心技术，在公共安检设备、国防建设、核能开发利用等领域有广泛应用空间，目前我国硅辐射探测器市场上的产品绝大部分被国外垄断，迫切需要在关键领域进行重点突破。耐高压硅探测器作为国防特殊辐射测量设备的核心部件，可拓宽脉冲辐射测量的动态范围，对中子、伽马射线等具有良好分辨力，在核辐射监测、高能粒子探测、X射线衍射仪、安检等应用广泛。

　　为此，四川艺精科技集团牵头申报，中国工程物理研究院材料研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所和江苏尚飞光电科技股份有限公司共同参与了高分辨耐辐照硅探测器项目的研制，在2018年正式通过了科技部的立项，中央财政经费为428万元，实施周期为3年。

　　高分辨耐辐照硅探测器项目将通过以表面钝化和离子注入等关键技术突破为重点，获得具有自主知识产权的高性能硅辐射探测关键技术，从基础研究、工艺控制、器件研制、产品研发、产业化等各阶段提升核心竞争力，带动相关产业发展，主要任务包括研制高压耐辐照硅探测器、面向公共安检应用的高性能X射线探测器、大面积X射线硅探测器等。

　　项目的考核指标主要有探测面积≥5cm×5cm；位置分辨率≤100μm；漏电流密度≤2nA/cm2@耗尽电压;探测器工作电压≥600V；抗辐照指标≥1×1015nep/cm2。产品完成时应通过可靠性测试，平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量；形成批量生产能力，明确项目验收时销售数量和销售额。

　　该项目的实施将进一步提升相关领域的核心竞争力，打破国际对我国的技术封锁，缩小与国际先进技术的差距，带动相关产业发展，以自主科技创新实现我国自己掌控相关产业发展和国家安全的命脉。下一步，团队将重点研究硅表面钝化工艺，通过控制硅表面氧化膜的厚度和质量来提高器件工作性能及辐照性能。

　　(资料来源：科技日报、科技部、仪器信息网)

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